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電力電子技術實驗裝置,電(diàn)力電子技術(shù)實驗設備


一(yī)、產品概述:
依據西安交通大學王兆安編著的《電力電子技術》(第四(sì)版)、《半導體變流技術》教材實驗大綱的要求,吸收國內、外同類產品的優點,充分考慮了實驗室的現狀和發展趨勢,對原電力電子技術及電機控(kòng)製實(shí)驗裝(zhuāng)置 ” 在外形、功能上進行優化組合,精心研製而(ér)成。
電力電子技術實驗裝置涵蓋了各高等院校等所(suǒ)開設的(de)電(diàn)力電子技術、半(bàn)導體變流技術等專業(yè)課程所要求的實驗(yàn)項目。
二、技術性能:
1、輸入電源 : 三相四線 ( 或三相五線 380V±10 % 50HZ)
2、工作環境 : 溫度 -10℃ - + 40℃  相對濕度< 85 %( 25℃ ) 海撥< 4000m
3、裝(zhuāng)置容(róng)量:< 1000W
4、外(wài)形尺寸(cùn): 155×79.5× 147 cm
5、移動腳輪:100*60mm
三、基本裝備:
1、DQ-01 電源控製屏(鐵質雙層亞光密紋噴塑結構,鋁質麵板)
(1)交流電源(帶有過流保護(hù)措施)
提供交流電源:三相交流電源 (220V/ 1.5A )
(2)高壓直(zhí)流電源
直流電源:輸(shū)出 220V/ 0.5A ,具有輸出短路(lù)保護。
(3)數字式儀表(biǎo)
1)交流數字電壓表(biǎo):可通過其下方的波(bō)段開關切換指示三相電網輸入線(xiàn)電壓,精度 1.0 級;
2)真有效值交流數(shù)字電壓表一隻:測量(liàng)範圍 0 ~ 500V ,量程(chéng)自動判斷、自動切換,精度(dù) 0.5 級,三位半數顯,為交流調速係統提供電壓指示。
3)真有效值交(jiāo)流數字電流表(biǎo)一隻:測量範圍 0 ~ 5A ,量程自(zì)動判斷、自(zì)動(dòng)切換,精度 0.5 級,三位半數顯,具有超量程(chéng)告警、指(zhǐ)示及切斷總電源功能(néng),為(wéi)調速係統提供(gòng)電流的指示;
4)直流數字電壓表一隻(zhī):測量範(fàn)圍(wéi) 0 ~ 300V ,三位(wèi)半數顯(xiǎn),輸入(rù)阻抗為 10M Ω ,精度 0.5 級;
5)直流數字電流表一隻:測量範圍 0 ~ 5A ,三位半數顯(xiǎn),精度 0.5 級,具有超量程報警、指示、切斷總電源等功能。
(4)帶鏡麵的指針表:直流電壓表(測量範圍 0 ~ ±300V ,為(wéi)中零式(shì),精度為(wéi) 1.0 級)直流電(diàn)流表(測量範圍 0 ~ ± 2A ,為中零式,精度為 1.0 級)
(5)三相可調電阻( 90Ω×2/ 0 .41A 一個 、 900Ω×2/ 0 .41A 兩個)
(6)平波電抗器:提供 100mH 、 200mH 、 700mH 電感,在 1A 下(xià)保持線性。
(7)給定: ±15V 可調電壓輸出,帶(dài)數(shù)顯,指示輸出電壓(yā)。
(8)單相調壓:提供了一隻 0 ~ 250V/0.5KVA 單相交流自耦調壓器,為相(xiàng)應的實驗(yàn)提供可調交流電源,並(bìng)帶過(guò)流保護。
(9)三相整流濾波電路:可對單相及三相交流(liú)電源進行整流和濾波(bō),具有輸出短路保護。
(10)變壓器:提供三相芯式變壓器(qì)一(yī)個(gè)(該變壓器有 2 套副邊(biān)繞(rào)組,原、副邊繞組的電壓為 127V/63.6V/31.8V ),用(yòng)於三相橋式(shì)、單相橋式有源逆變電路實驗(yàn)。
(11)人身安(ān)全保(bǎo)護體係:
1)三相隔離變壓器一組:三相電源(yuán)首先(xiān)通過三相漏電保(bǎo)護器,然後經鑰匙開關、接觸器到隔離變(biàn)壓器,使主電(diàn)路輸出與電網隔離(浮地設計(jì)),對人身安全起到一定的保護作用。
2)電壓型漏電保護器(qì) 1 :對隔離變壓器前的線路出現(xiàn)的漏電現象進行保護,使控製屏內的(de)接觸器跳閘,切斷電源。
3)電壓型漏電保護器 2 :對隔離變壓器(qì)後的線路及實驗過程中的接線(xiàn)等出現的漏電現(xiàn)象進行保護,發出報警信號並切斷電源(yuán),確保人身安全(quán)。
4)電流型漏電保護裝置:控製屏若有漏電現(xiàn)象,漏電流超過一定值,即切斷電源。
5)實驗連接線及插座:強(qiáng)、弱電連接及插座分開(kāi),不能(néng)混插。強(qiáng)電連接線及插座采用全封閉工藝,使用安全、可靠、防觸電。
(12)實驗管理器:具有設定(dìng)實驗時間、定時(shí)報警、切斷電源等功能;還可以自(zì)動(dòng)記錄與(yǔ)區(qū)分由於接線或(huò)操作錯誤所造成的漏電告警、儀表超量程告警等(děng)。
(13)控(kòng)製屏其它設施
控製屏正麵(miàn)大凹(āo)槽內,設有兩根方型不鏽鋼管,可掛置實驗部件,凹槽底部設(shè)有 7 芯、 3 芯等插座, 掛件的供電由這些插座提供。控製屏兩側設有單相三極 220V 電源(yuán)插座及三相(xiàng)四極 380V 電源插座。
2、DQ02 實(shí)驗桌:
實驗桌為鐵質雙(shuāng)層亞光密紋(wén)噴塑結構(gòu),桌麵為防(fáng)火、防水、耐磨高(gāo)密度板 , 結構堅固,形狀似長方體結構,造形美觀大方;設(shè)有兩個(gè)大抽屜,用於放置工具、存放掛件及資料等。桌麵用於安裝電(diàn)源(yuán)控製屏並提供(gòng)一個寬敞舒適的工作台麵。實驗(yàn)桌還設有四個萬向輪和四個固定調節機構,便於移(yí)動和固定,有利於實驗室(shì)的布局。配有示波(bō)器擱板。
3、DQ03 三相可控整流電(diàn)路(一)
提供 6 隻 5A /1000V 的晶閘(zhá)管,每隻晶閘管均設有 RC 吸收和保險絲保護(hù)裝置,晶閘管可通過外加觸發信號進(jìn)行觸發(留有觸發脈衝輸入接口),可更好的完成設計性實驗。
三相觸發電路由 KC04 、 KC41 、 KC42 、 4066 等集成電路組成,可通過鈕子開關(guān)選擇雙窄脈衝或寬脈衝,同時提供六路觸發脈衝功放電路等。
4、DQ04 晶閘管觸發電路(一)
提供單結晶體管(guǎn)觸發電路實驗、鋸齒波同(tóng)步移相觸(chù)發電路實驗(yàn)。
5、DQ05 晶閘管(guǎn)觸(chù)發電(diàn)路(二)
提供正弦波同步移相觸發電路實驗、單相交流調壓觸(chù)發電路實驗及單相並(bìng)聯逆變觸發電路實驗共三 種(zhǒng)。
6、DQ06 功率器件驅動與保護電路(lù)(一)
主(zhǔ)要是為完成新器件特性實(shí)驗提供電源、驅動電路及 PWM 波形發生器。
1)電源:為驅動(dòng)電路提供電源,包括 ±5V 、 ±15V 和 +20V 直流電源。
2)驅動(dòng)電路:包括 MOSFET 和 IGBT 的驅動(dòng)電路。其中 IGBT 的(de)驅動電(diàn)路采用專用芯片 EXB841 ,其它的由運放、門電路及分立元件組成。
3)PWM 波形(xíng)發生器:以 SG3525 為核心的 PWM 波形發生器主要是為新器件驅動電路(lù)提供 PWM 驅(qū)動波形,可以通過頻率調節旋鈕進(jìn)行(háng)頻率調節;通過占(zhàn)空(kōng)比(bǐ)電位器(qì)來調節 PWM 波的占空比。頻率範圍(wéi)分為 2 擋,通過(guò)鈕(niǔ)子開關切換(huàn),高頻檔是為 MOSFET 和 IGBT 驅動電路(lù)提供 PWM 波形,頻率調節範(fàn)圍 4KHz ~ 10KHz ;低頻檔是為 GTR 和 GTO 驅動電路提供 PWM 波形,頻率調節範圍 400Hz ~ 1KHz ;占(zhàn)空比可從 0% 調至 100% 。
7、DQ07 功率器件驅動與保護電路(二)
提供(gòng) GTO 和(hé) GTR 的驅動保護電路, PWM 信號和直(zhí)流電源均從 PE14 上取。
8、DQ08 單相交直交變頻原理
根據(jù)普通高等教育 “ 九五 ” 國(guó)家級重點教材王兆安,黃俊主編的《電力電子技術》(第四版)的內容進行開發。用於展示交直交變頻原(yuán)理,主要讓學(xué)生了解 SPWM 正弦波脈寬調製信號(hào)的形成方法,了解 IGBT 管專用集(jí)成(chéng)驅動芯片(piàn)的特點及其使(shǐ)用,能完成如下實驗(yàn)項目: 1 ) SPWM 波形成的過程; 2 )交直交變頻電路在不同負載(電(diàn)阻,電感或電機)時的工作情況(kuàng)和波形,並研究(jiū)工作頻(pín)率對電路工(gōng)作波形的影響; 3 ) IGBT 管專用集成驅動芯片的工作特性。
9、DQ09 DC/DC 變換電路
提供(gòng)了 DC/DC 變換電路實驗的主電路和控製(zhì)電路。電力電(diàn)子器件為 IGBT ,控製電(diàn)路采用(yòng) PWM 控製集成電路 SG3525 ,掛箱麵板上還提供了所需(xū)的觀測孔。
10、DQ10 半橋型開關穩壓電源
提供了半橋(qiáo)型開關穩壓電源的主(zhǔ)電路和控(kòng)製(zhì)電路,主電路的電力電子器件為(wéi)電力(lì) MOSFET 管;控製電路采用專用 PWM 控製集成電路 SG3525 ,采用恒頻脈寬調製控製方案。可完成 “ 開關電路(lù)在開環與(yǔ)閉環下負載特(tè)性的測試 ” 以及 “ 電源電(diàn)壓波動對輸出的影響 ” 等(děng)實驗內容。
11、DQ11 直流斬波實驗
根據西安交(jiāo)通大學王兆安教(jiāo)授和黃俊教授主編的《電力電子技術》 ( 第四版 ) 中相關內容而設(shè)計。提供組成直流斬波電路所需的元器件和采用專用的 PWM 控製集成電(diàn)路 SG3525 。可完成教材中降壓(yā)斬波電路( Buck Chopper )、升壓斬波電路( Boost Chopper )、升降壓斬波電路( Boost -Buck Chopper )、 Cuk 斬波電路、 Sepic 斬(zhǎn)波電路(lù)、 Zeta 斬波電路六種典(diǎn)型實驗。
12、DQ12 斬控式交流調壓電路
根據西安交通大學王兆安(ān)教(jiāo)授和黃俊教授主(zhǔ)編的《電力電子技術》(第四版)中相關(guān)內容而設計,采用全控型器(qì)件 IGBT 管實現 “ 斬控(kòng)式交流調壓(yā)實驗 ” 。
13、DQ13 單相交流調壓 / 調功電路
根據西安交通大學王兆安教授和黃俊教授主編(biān)的《電力電(diàn)子技(jì)術》(第四版)中相(xiàng)關內容而設計,實現(xiàn)單相交流調壓和交流調功的實驗內容。采用的電力電子器件為雙向晶閘管,在交(jiāo)流調壓實驗中采用由雙向觸(chù)發二極管構成觸發控製(zhì)電(diàn)路;在交流調功(gōng)實驗中采用由 555 時基電路組成觸發控製電(diàn)路。
14、DQ14 單(dān)端反激式隔離開關電源
輸(shū)入交流電壓範圍為 50V ~ 200V ,輸出為三組直流電源,分別為 +5V 、 5A ; +12V 、 1A ; -12V 、 1A ,在輸(shū)入交流電壓和直流輸出負載變(biàn)化時輸出電壓(yā)的變化率小(xiǎo)於 0.3% 。
15、DQ15 PS-ZVS-PWM 軟開關技術
主要包括 H 橋電路(lù)、控製電路(lù)和穩壓反饋電路,用於(yú)展現移相零電壓開關的電路結構和工作原理。 H 橋電路(lù)有四隻 MOSFET 管組成,控製電路采用全橋(qiáo)軟開關(guān)電(diàn)源移相(xiàng) PWM 控製芯片 UCC3895 和驅動芯片 HIP4081 組成,穩(wěn)壓反饋電路由(yóu) TL431 等元件(jiàn)組成。
16、DQ16 整流(liú)電路有源功率因數校正
主要有整流電(diàn)路(lù)、升壓(yā)變換器、控(kòng)製電路三部分組成。控(kòng)製電路采用功率因數控製芯片 UCC3817N 和外圍元器件組成。最大輸出功率是 100W ( 200V±5% , 0.5A ),工作頻(pín)率為 100KHz 。通過適(shì)當的連(lián)線可以完成下列(liè)實驗項目:
1)無濾波電容的整流(liú)電路(lù)帶純阻性負載(zǎi)的測試
2)有濾波電容的整流電路帶純阻性負載的測試
3)整流電路(lù)有源功率因數校正的(de)測試
4)控(kòng)製電路的波形測試,功率柵極控製(zhì)信(xìn)號觀察
5)整(zhěng)流電路有源功率(lǜ)因數校正電(diàn)路的性能測試
17、DQ17 實驗元器件
提供晶(jīng)閘管(均設有 RC 吸收和保(bǎo)險絲保(bǎo)護)、壓敏電阻(zǔ)(作為過壓保護元件,內部已連成三角形接法)、二極管(guǎn)及燈座、 RC 吸(xī)收電路。
18、DQ18 單端電流反饋他激式(shì)隔離開關電源
采用專用集成電路 UC3844 作 PWM 控製器(qì),可直接驅動 MOSFET 功率場效應管。通過與直流可調電源、負(fù)載(zǎi)的配合可展示(shì)電路原理,各點波形測試,輸入電壓和負(fù)載改變時的波形變化和性能測(cè)試等項目。
19、DQ19 升 、降壓與複合(hé)斬波電路
通過 PWM 控製器與兩個 IGBT 三極管,兩(liǎng)個二(èr)極管的簡單(dān)聯結,配以發電(diàn)機、電動機的組合負荷,用雙蹤示波器能(néng)展示降壓電路的第一象限電壓 - 電流圖,升(shēng)壓電路的第二象限電壓 - 電流圖,複合電路的(de)第一、第二象限(xiàn)電壓-電流圖。同時能展(zhǎn)示(shì)以(yǐ)上三種狀態下的續流、臨界斷流、斷流時的電(diàn)壓、電流波形 ( 改變(biàn)輸入電壓、改變 PWM 脈寬、改變負荷電機力(lì)矩 ) 。並可簡單(dān)地聯結成升、降壓與複合電路,由於結(jié)構上的特點,實驗還可演示斬波電路電機負荷能耗製動、回饋製動等的實驗效果。
20、DQ20 三相可控(kòng)整流電路(二)
提供 6 隻 5A /1000V 的晶閘管(guǎn),每隻晶閘管均設有 RC 吸收和保險絲保護裝置,晶閘管可通過外(wài)加觸發信號進行觸發(留有觸發脈衝輸入接口),可更好(hǎo)的完成設計性實(shí)驗。
三相觸發電(diàn)路由專用晶閘管新型集成觸發電路 Tc787 組成,體現了現代晶閘管觸發技術的最新應用;同時提供六路觸發脈衝功放電路等。
21、DQ21 晶(jīng)閘管觸發電路(三)
由西門子專用晶閘管集成觸發電(diàn)路(lù) Tca785 組成,可完成單相集成觸(chù)發(fā)電路實驗,體現了(le)現代晶(jīng)閘管(guǎn)觸發技術(shù)的最新應用。
22、DQ22 單相智能功率、功率因數表
由微電腦、高精度 A/D 轉(zhuǎn)換芯片和全數顯電路構成。通過鍵控、數顯窗(chuāng)口實現人(rén)機對話功能(néng)控製模式。在硬、軟件上均(jun1)分八檔區域,自(zì)動判斷、自動換檔(dàng),功率測量(liàng)精度 1.0 級,電壓、電流量程分別為 450V 、 5A ,還(hái)可儲存數據(jù),供隨時查閱。
23、DQ23-1 不鏽鋼電(diàn)機導軌、光碼盤測速係統(日本歐姆龍 1024 光電(diàn)編碼器)及(jí)數顯轉速表(biǎo)
24、DQ24-1 直流複勵發電機
25、DQ25 直流並勵電動機
26、DQ26單相電阻啟動異步電動機
27、實驗連接線:根據不同實驗項目的特點,配備兩種不同的實(shí)驗聯接(jiē)線,強電部分采用高可靠護套(tào)結構插連接線(不存在(zài)任(rèn)何觸電的可(kě)能),裏麵采用無氧銅抽絲(sī)而成頭發絲般細的多股線(xiàn),達到超(chāo)軟目的,外(wài)包(bāo)丁晴聚氯(lǜ)乙烯絕緣層,具有柔軟、耐壓高、強度大、防硬化、韌性好等優點,插頭(tóu)采用實芯銅質件外套鈹輕銅彈(dàn)片,接觸安全可(kě)靠;弱電部分采用彈性鈹輕銅裸露結構聯(lián)接線,兩種導線都隻能配合相應內孔的插座,這樣大大提高了實驗的安全及合理性。
四、能開設的實驗項目:(全配)
一)晶閘(zhá)管觸發電路實驗項(xiàng)目
1、單結晶體管觸發電路(lù)
2、正弦波同步移相觸發電路實驗(yàn)
3、鋸齒波同步移相觸發電路實(shí)驗
4、單相集(jí)成鋸齒波觸發電路實驗(由 Tca785 組(zǔ)成)
5、三相集成鋸齒波觸發電路實驗(yàn)(由 KC04 等組成)
6、三相集成(chéng)鋸齒波(bō)觸發電路實驗(由 TC787 組成)
二(èr))晶閘管線路(lù)實驗項(xiàng)目
1、單相半波可(kě)控整流電路實驗
2、單相橋(qiáo)式(shì)半(bàn)控整流電路(lù)實驗
3、單相橋式全控整流及有源(yuán)逆(nì)變電路實驗
4、三相半波可控整(zhěng)流電路實驗
5、三相橋式半控整流電路實驗
6、三相半波有源逆變電路實驗
7、三相(xiàng)橋式全(quán)控整流及有源逆變電路實驗
8、單相並聯逆變電路實驗
9、單相交流(liú)調壓電(diàn)路實驗
10、單相交流(liú)調功電路實驗
11、三相交流調壓電路實驗
三)新器件特性及驅動(dòng)保護實驗項目
1、單向晶閘管( SCR )特性實驗
2、可關斷(duàn)晶閘管( GTO )特(tè)性實(shí)驗
3、功率場效應(yīng)管( MOSFET )特性(xìng)實驗
4、功率晶體管( GTR )特(tè)性實驗
5、絕(jué)緣雙極性晶體管( IGBT )特性實(shí)驗(yàn)
6、可關斷晶閘管( GTO )驅動與保護電路實驗
7、功率場效應(yīng)管( MOSFET )驅動與保護電路實驗
8、功率晶體管( GTR )驅動與保護(hù)電路實驗
9、絕(jué)緣雙極性(xìng)晶體管( IGBT )驅動與保護電路實驗
四)典型新器件線路實驗(yàn)
1、單相正弦波脈寬(kuān)調製( SPWM )逆變電路實驗
2、全橋 DC/DC 變換電路實驗
3、半橋型(xíng)開關穩壓電源的性能研究
4、單端反激式隔(gé)離開關電源實驗
5、單端電(diàn)流反饋他(tā)激式隔離開關(guān)電(diàn)源實驗
6、直(zhí)流斬波電路的性能研究(降壓斬波電路、升壓斬波(bō)電路、升降壓斬波(bō)的電路、 Cu k斬波電路、 Sepic 斬波(bō)電路、 Zeta 斬波電路)
7、升、降壓(yā)與複合斬波電路實驗(yàn)
8、單相斬控式交流調壓電路實驗
9、整流電路有(yǒu)源功率因數(shù)校正實驗
10、軟開關技術(shù)實驗
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